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Jeremy Shen c01cf91893

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RMA: APT Initial Commit

2026-07-24 21:44:20 +08:00

3.1 KiB

Raw Blame History

RMA报告：APT32 Trim问题分析

基本信息

项目	内容
实验日期	`2026-07-24`
负责人	`沈浴阳`
客户名称	`APT`
待测芯片	`APT32F0313`
测试类型	`CP/FT`
报告版本	`V1.0`
板卡编号	``

一、问题背景

工厂反应PPMU2.0板卡对APT32F0313进行CP测试时，出现Vnege_Trim测试项Fail的情况，且该异常跟随板卡迁移具体表现为：

Trim Code写入后，发送Measure指令从Tp管脚量得得电压与期望值不符，导致Code中二分法得出错误结果进而使得测试项出现Fail
进一步细究后发现，通过执行一次Trim Code写入，写入固定Code后重复发送Measure指令并进行测量，可得到异常结果，并与前述异常结果相符，故可以得出该问题实际出现在Measure指令到Tp管脚测量中

二、实验目的

目标1：复现工厂现象
目标2：分析异常并寻找原因
目标3：尝试改进

三、实验环境

硬件配置
- 工厂寄回PPMU2.0板卡两套
  - IP分别为14与17
  - 其中 14 板卡为正常板卡，17板卡为异常板卡
- 工程机(PC)
软件环境
SOC软件: v1.4.0-1070

四、实验步骤

1. 准备工作

本次实验受限于实验室机台，使用1K+PIB形式进行验证
收到从工厂发来的 盲binding FT颗粒若干 (需注意现场为CP测试)，购买QFN32 Socket并通过飞线至PIB的形式连接至板卡通道
使用与工厂相同的软固件版本以保持一致
从辛明翰处获得现场使用工程文件

2. 复现流程

直接运行工厂项目文件，发现

五、实验结果

关键数据记录

测试点	预期值	实测值	偏差	单位
Vout	3.3	3.28	-0.6%	V
I_max	2.0	2.15	+7.5%	A

波形/现象记录

图1：上电冲击电流波形

注释：观测到XX μs的浪涌电流

图2：高温测试红外热像

注释：芯片最高温度达XX℃（环境XX℃）

六、问题分析

graph TD
A[异常现象] --> B[电源模块]
A --> C[信号干扰]
B --> D{排查方向1}
C --> E{排查方向2}

七、结论与建议

✅ 实验结论

<验证通过/未通过的指标>
<关键发现>

⚠️ 解决建议

建议1：<硬件优化方案>
建议2：<测试方法改进>

3.1 KiB Raw Blame History Unescape Escape