RMA: APT Initial Commit

source/Lab_Report/PPMU2.0/Lab_Report_PPMU2.0_DPS_Pwr_260306.md

@@ -1,5 +1,5 @@
 
-# 实验报告：PPMU2.0 DPS板卡挡位切换对电源
+# 实验报告：PPMU2.0 DPS板卡挡位切换对电源影响
 
 ## 基本信息
 | 项目         | 内容                  |
@@ -94,7 +94,7 @@
 
 ## 六、问题分析
 <!-- 使用故障树等结构化方法 -->
-```mermaid
+```{mermaid}
 graph TD
 A[K7重启] --> B[K7核压过低]
 B --> C[前级电源输出异常]
@@ -104,7 +104,9 @@ E --> F[VIN跌落]
 F --> G[DPS运放供电切换导致]
 ```
 
-```mermaid
+---
+
+```{mermaid}
 graph TD
 A[DPS运放供电切换导致] --> B[使用ADG1434进行反馈电阻切换]
 B --> C[反馈电阻切换存在空白时间，此时反馈网络开路]
@@ -132,5 +134,3 @@ E -"若在~1.3ms内故障未缓解"-> G[TPS54821关闭~37ms后重启]
 - 建议1：修改`ARM固件`，避免64DPS**同时**切换运放供电
 - 建议2：修改`K7 BOM`，更换EN分压电阻，允许更多的VIN跌落
 - 建议3：修改`DPS裸板`，调整修改电源输出电压的方式
-
----

source/RMA/PPMU2.0/APT_APT32F0313_RMA_Report.md

@@ -0,0 +1,103 @@
+
+# RMA报告：APT32 Trim问题分析
+
+## 基本信息
+| 项目         | 内容                  |
+|--------------|-----------------------|
+| 实验日期     | `2026-07-24`          |
+| 负责人       | `沈浴阳`              |
+| 客户名称     | `APT`                  |
+| 待测芯片     | `APT32F0313`                    |
+| 测试类型     | `CP/FT`                |
+| 报告版本     | `V1.0`                |
+| 板卡编号     | ``              |
+
+---
+## 一、问题背景
+
+工厂反应PPMU2.0板卡对APT32F0313进行CP测试时，出现Vnege_Trim测试项Fail的情况，且该异常跟随板卡迁移
+具体表现为：
+- Trim Code写入后，发送Measure指令从Tp管脚量得得电压与期望值不符，导致Code中二分法得出错误结果进而使得测试项出现Fail
+- 进一步细究后发现，通过执行一次Trim Code写入，写入固定Code后重复发送Measure指令并进行测量，可得到异常结果，并与前述异常结果相符，故可以得出该问题实际出现在Measure指令到Tp管脚测量中
+
+---
+
+## 二、实验目的
+<!-- 清晰描述实验要验证的关键问题 -->
+1. 目标1：`复现工厂现象`
+2. 目标2：`分析异常并寻找原因`
+3. 目标3：`尝试改进`
+
+---
+
+## 三、实验环境
+- **硬件配置**  
+  - 工厂寄回PPMU2.0板卡两套
+    - IP分别为14与17
+    - 其中 ***14*** 板卡为正常板卡，***17***板卡为异常板卡
+  - 工程机(PC)
+- **软件环境**  
+  SOC软件: v1.4.0-1070
+
+
+---
+
+## 四、实验步骤
+### 1. 准备工作
+<!-- 分步骤描述准备过程 -->
+1) 本次实验受限于实验室机台，使用1K+PIB形式进行验证
+2) 收到从工厂发来的 ***盲binding*** FT颗粒若干 (*需注意现场为CP测试*)，购买QFN32 Socket并通过飞线至PIB的形式连接至板卡通道
+3) 使用与工厂相同的软固件版本以保持一致
+4) 从辛明翰处获得现场使用工程文件
+
+### 2. 复现流程
+<!-- 按顺序记录关键操作 -->
+1. 直接运行工厂项目文件，发现
+
+---
+
+## 五、实验结果
+### 关键数据记录
+| 测试点 | 预期值 | 实测值 | 偏差 | 单位 |
+|--------|--------|--------|------|------|
+| Vout   | 3.3    | 3.28   | -0.6% | V    |
+| I_max  | 2.0    | 2.15   | +7.5% | A    |
+
+### 波形/现象记录
+**图1：上电冲击电流波形**  
+![](./images/inrush_current_20230501.png)  
+*注释：观测到XX μs的浪涌电流*
+
+**图2：高温测试红外热像**  
+![](./images/thermal_image_test3.jpg)  
+*注释：芯片最高温度达XX℃（环境XX℃）*
+
+---
+
+## 六、问题分析
+<!-- 使用故障树等结构化方法 -->
+```mermaid
+graph TD
+A[异常现象] --> B[电源模块]
+A --> C[信号干扰]
+B --> D{排查方向1}
+C --> E{排查方向2}
+```
+
+---
+
+## 七、结论与建议
+✅ **实验结论**  
+1. `<验证通过/未通过的指标>`
+2. `<关键发现>`
+
+⚠️ **解决建议**  
+- [ ] 建议1：`<硬件优化方案>`
+- [ ] 建议2：`<测试方法改进>`
+
+---
+
+## 附件
+1. [原始数据文件](./data/rawdata_20230501.csv)
+2. [电路原理图](./schematics/v2.0_final.pdf)
+3. [测试视频](./videos/test_recording.mp4)